درهم تنیدگی حالتهای اتم دوترازه با فوتونها در محیط چپگرد

نخستین مطالعه ی نظری در زمینه ی ویژگی های الکترودینامیکی محیط های مادی با ضریب شکست منفی به اواخر دهه ی شصت میلادی قرن گذشته باز می گردد . ویژگی اساسی محیط های مزبور این است که گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی آن ها در یک ناحیه بسامدی معین به طور همزمان منفی است . با توجه به ویژگی های منحصر به فرد محیط های چپگرد به نظر می رسد که رفتار ذرات باردار در برهم کنش با میدان الکترومغناطیسی در مواد چپگرد در مقایسه با مواد معمول,تفاوت خواهد داشت. یکی از زمینه های برهم کنش ذرات باردار با میدان, در هم تنیدگی کوانتومی اتم با میدان الکترومغناطسی را تشکیل می دهد. امروزه شاهد نقش درهم تنیدگی کوانتومی در پیشرفت و گستردگی مکانیک کوانتومی و کاربرد آن در رمزنگاری کوانتومی، فرابرد کوانتومی، محاسبات کوانتومی و غیره هستیم.در این پایان نامه به بررسی درهمتنیدگی حالت های اتم دو ترازه با فوتونها در محیط های چپگرد با تقریب استاندارد مارکوف و تقریب دوم مارکوف می پردازیم. برای کمی کردن این پدیده فیزیکی از معیار آنتروپی فون نویمان استفاده می کنیم. با بررسی دینامیک آنتروپی فون نویمان، مشاهده می شود که با گذر زمان,در روش مارکوف درهم تنیدگی پس از رسیدن به مقدار ماکزیمم به صورت نمایی میرا می شود, ولی با تقریب دوم مارکوف این تغییرات به صورت نوسانی بوده سپس این نوسانات میراشده تا به صفر برسد .